Sistema de Injeção de gás

Todos os sistemas MEV-FIB TESCAN podem ser equipados com um sistema de injeção de gás (GIS), o qual é um componente essencial para a maioria das aplicações FIB.
Ele fornece a química do gás necessária para depositar camadas de proteção de Pt, W e C para os cortes de seção transversal e para a preparação de lamelas, deposições de Pt, W e SiO2 para a edição de circuitos, XeF2 para taxas de remoção melhorada em Si. Também torna possível a remoção de camada de CI assistida a gás. Além disso, o GIS pode fornecer gases precursores para melhorar e otimizar as aplicações de remoção em alguns materiais ou tornar possível a gravação seletiva.
 

Destaques

  • Deposição de camadas de proteção para reduzir os efeitos de carga durante a remoção FIB em seções transversais e preparação de lamelas MET: W, Pt, C, SiOX
  • Processo de remoção acelerado: XeF2 para melhorar a remoção de Si e H2O para melhorar a remoção de materiais contendo carbono
  • Redução de efeito cortina em alguns materiais
  • Nano-padronização e complementação de técnicas litográficas
  • Gravação melhorada ou seletiva para remoção de amostras multicamadas: Si, SiO2, Si3N4
  • O deslocamento perpendicular de cima para baixo em chips de última geração é outra aplicação importante que resulta da combinação de Xe FIB de plasma e gravura assistida a gás

Todos os sistemas MEV-FIB TESCAN podem ser equipados com uma das seguintes opções GIS:
  • Multi GIS: 5 gases independentes
  • Mono GIS: único gás.

 
Sistema de Injeção de gás
Pt deposition on a BGA device for cross-sectioning

Nota de Aplicações Relacionadas

XeF2 injection for Ultrafast Large-area Polishing Using Xe Plasma FIB
TESCAN FERA3 is a Focused Ion Beam –Scanning Electron Microscope (FIB-SEM) with a fully integrated xenon plasma ion source. The Xe plasma ion source enables high current ion beams which on one hand, allows for extremely high milling rates - ideal for removing large volumes of material. This is a valuable quality for many technological applications in different areas such as the semiconductor industry. On the other hand, milling at high current ion beams can cause in some cases surface artifacts. One method for dealing with this situation is to use an optimised FIB scanning strategy in combination with the novel TESCAN Rocking Stage. The Rocking stage allows for tilting the sample during the milling process so that the direction of the ion beam can be changed, a strategy which has been proven to be effective for reducing curtaining effects on the milled surfaces. Alternatively, another promising way for removing surface artifacs has been found. It consists of injecting xenon difluoride (XeF2) precursor –by using a Gas Injection System (GIS) - during the FIB polishing process. The goal of this application note is to present and discuss the results of the application of this technique on different materials.
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