XEIA3

Extraordinária imagem de ultra alta resolução combinada com o extremo poder da micro mecanização em um único instrumento. Se as suas aplicações exigem uma remoção extremamente potente e ultra rápida de micro/nano-FIB, uma ultra alta resolução ultracompacta (UHR) em energias baixas de feixe, microanálise ultra rápida e confiável ou reconstruções 3D analíticas, o modelo XEIA3 destaca-se como o sistema ideal de MEV-FIB que oferece todas estas capacidades em um único instrumento, com excelente desempenho. Com o novo modelo XEIA3, a TESCAN não só oferece um instrumento topo de sua classe, mas também cumpre seu compromisso de continuar ajudando pesquisadores a impulsionar a ciência e o desenvolvimento. Isso também se reflete na cuidadosa personalização de cada sistema para atender as necessidades específicas de cada cliente. De materiais a ciências da vida ou de engenharia para a indústria de semicondutores, a TESCAN garante sistemas de alto desempenho sem comprometimentos entre as aplicações.

Principais Características

Triglav ™ - coluna de elétrons UHR recém-projetada

  • Sistema de objetiva TriLens™: combinação única de três lentes e trajetória do feixe sem cruzamento
  • Sistema avançado de detecção com múltiplos detectores de SE e BSE
  • Triglav™ - ultra alta resolução final em baixa energia do feixe: 1 nm a 1 keV e 0,7 nm a 15 keV
  • Sistema de dissipação de energia térmica EquiPower™ para excelente estabilidade na coluna de elétrons
  • Correntes de feixe de elétrons de até 400 nA e mudanças rápidas de energia do feixe
  • Geometria da coluna otimizada para acomodar grandes wafers de até 8”

Coluna FIB Xe plasma extremamente potente

Coluna FIB com fonte de íons de plasma de Xe gerada por ECR para atingir as tarefas de remoção em grande escala mais desafiadoras, em tempos imbatíveis
  • 50x mais rápido do que FIB de Ga.
  • Corrente do feixe de íons de 1 pA a 2 μA e resolução  <25 nm
  • Coluna FIB de plasma Xe de alta resolução recentemente desenvolvida (opcional) obtendo resolução de <15 nm para estender a capacidade de modelagem.
  • Íons de Xe de grande massa com maior faixa de corrente FIB para remoções ultra rápidas, mesmo sem reforço de gás assistido
  • Redução significativa na implantação iônica comparada ao FIB de Ga
  • O gás inerte de Xe não aumenta a condutividade do material ao redor da superfície modelada.
  • Nenhum composto intermetálico formado durante a remoção de FIB
XEIA3
XEIA3

Catálogo do produto

XEIA3 brochure
Extraordinary ultra-high resolution imaging and extremely fast micromachining. Download XEIA3 brochure!
pdf – 2,5 MB

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