XM- und GM-Kammererweiterungen

Die XM- und GM-Standardkammern sind bereits sehr großvolumig. Beide Kammern können bei Neugeräten jedoch optional, durch spezielle Kammervorsätze, erweitert werden. Diese Kammererweiterungen stellen eine praktische Lösung für die Halbleitertechnologie dar, da sie die Inspektion großer Wafer ermöglichen.
Die erweiterte XM-Kammer mit modifizierter Y-Achse und Kammervorsatz kann 6" und 8" Wafer aufnehmen. Die REM-Abbildung an jeder Stelle des Wafers kann bei 0° Kippung ausgeführt werden. In FIB-REM-Systemen kann der Wafer auch um 55° gekippt werden, damit Nanoengineering-Aufgaben mittels FIB durchgeführt werden können.

Die erweiterte GM-Kammer mit spezieller Ladebühne und speziellem Halter ermöglicht die kontrollierte Einbringung von 6", 8" und 12" Wafern. Die Ladebühne erlaubt bei 6" und 8" Wafern FIB-Cross-Sectioning und REM-Abbildungen an jeder Stelle des Wafers. Unter 0° kann ein gesamter 12" Wafer im REM inspiziert werden.

Jedes TESCAN REM- und FIB-REM-System mit XM- und GM-Kammer kann ab Werk mit einer Kammererweiterung geliefert werden. Eine Nachrüstung ist nicht möglich.

Analyse großer Wafer

Wafer sind Substrate, die meist aus hochreinem Silicium hergestellt, das in Monokristallen gewachsen ist. Wafer werden meist als spiegelähnliche, weniger als einen Millimeter dicke Scheiben hergestellt und haben einen Durchmesser von bis zu 12" (30 cm). Darauf werden die ICs gefertigt.
Die Herstellung von MEMS-Elementen oder integrierten Schaltungen auf Wafern mit großem Durchmesser ist ein Routineprozess in Fabs sowie in der Mikroelektronik- und Halbleiterindustrie. Als Teil des Fertigungsprozesses müssen einige Merkmale mit REM oder FIB-REM untersucht werden, da diese eine hohe räumliche Auflösung zur Analyse und Charakterisierung von Defekten an bekannten Stellen bieten. Um dies durchführen zu können, müssen REM- oder FIB-REM-System auch die entsprechende Lademöglichkeit haben, um mit solch großen Proben umgehen zu können. Für diesen Zweck hat TESCAN eine spezielle Ladebühne mit Halter zur Aufnahme von 6", 8" und 12" Wafern entwickelt.

 
  • Beim Umgang mit großen Wafern ist eine spezielle Software für die präzise Navigation und die Suche nach einem bestimmten Ziel unumgänglich. Das TESCAN X-Positioner Modul ermöglicht in Kombination mit der Avalon Defect Wafermap™ Erweiterung eine einfache, präzise Navigation und die genaue Lokalisierung von Defekten für deren nähere Kontrolle und Charakterisierung.
  • Zudem sortiert die Avalon™ Software Defekte nach Größe, Ort oder Güteklasse sowie Layout-Bestimmung. Sie erlaubt dem Anwender maßgeschneiderte Wafer-Maps.
  • Für die Untersuchung extragroßer Proben bietet TESCAN auch die einzigartige, hochauflösende TESCAN MIRA AMU mit außergewöhnlich großer Kammer. Sie unterstützt Proben mit einem Durchmesser von bis zu 762 mm.
XM- und GM-Kammererweiterungen
Untersuchung eines 12" Wafers in einer GM-Kammer

Applikationssbeispiele (in Englisch)

Visualization of Doped Active Regions in Semiconductor Devices
The possibility of consistent and efficient inspection throughout the entire manufacturing process of semiconductor devices is one of the key attributes for high yields and profitability. Feedback on control of each manufacturing step is absolutely necessary, especially during the mass production of wafers (tens of millions of devices per week). Checking layer thicknesses, step coverage, geometry of critical details, depth of trenches, etc. is carried out in order to find defects, their origin and implement appropriate corrective measures.
pdf – 1,1 MB
High Resolution Large Format Imaging for Die Inspection
Visual inspection is an integral part of the production line in all semiconductor foundries. Most of the inspection techniques currently in use are optical-based which will face a resolution limit due to the continual reduction in the size of dies. TESCAN’s Image Snapper is a perfect substitution allowing nondestructive imaging based on the stitching of high magnification images resulting in one high resolution panorama image.
pdf – 1004 kB