TESCAN S9000X

Höchste Auflösung und maximaler Durchsatz für großvolumige Probenpräparation und -charakterisierung​
 
TESCAN S9000X ist die Plattform für die anspruchsvollsten Anwendungen der physikalischen Fehleranalyse in der Halbleiter- und Materialcharakterisierung, die höchste Präzision und extrem hohen Durchsatz erfordern. Die TESCAN S9000X garantiert höchste Auflösung und Oberflächenempfindlichkeit, die für die Auflösung nanoskaliger Strukturen unerlässlich sind. Sie bietet beste Voraussetzungen für großvolumige 3D-Probencharakterisierungen und bietet gleichzeitig unübertroffene FIB-Fähigkeiten, die eine präzise, beschädigungsfreie und extrem großflächige TEM-Lamellen in „Packungstechnologien“ und optoelektronischen Bauelementen ermöglichen. 
 
Die physikalische Fehleranalyse heutiger Halbleiterbauelemente ist zu einer äußerst komplexen Aufgabe geworden, die sich mit immer kleineren Bauelementen mit höherer Dichte und Funktionalität auseinandersetzen muss. Dies erfordert zuverlässige analytische Plattformen, die mit der zunehmenden Komplexität des Designs und der Architektur integrierter Schaltungen, optoelektronischer Bauelemente und generell mit der Entwicklung neuer Nanotechnologien und Nanomaterialien Schritt halten können. Die TESCAN S9000X ist eine leistungsfähige FIB-REM-Plattform, die speziell für diese Herausforderungen entwickelt wurde. Die ultimative Auflösung, Oberflächenempfindlichkeit und der hervorragende Kontrast werden durch die Bildgebungsfunktionen der nächsten Generation der Triglav™-Säule erreicht. Mit der neuen iFIB+™-Säule wird der Anwendungsbereich der Xe-Plasma-FIB und die Fähigkeit zur großflächigen Probenmikrotechnik und 3D-Mikroanalyse unter Beibehaltung kürzester „time-to-result“ weiter vorangetrieben.
 

Hauptmerkmale

  • Neue Essence SW-GUI für einfachere, schnellere Abläufe, einschließlich Kollisionsmodell und anpassbarem, anwendungsorientiertem Layout.
  • Nächste Generation Triglav™ UHR REM-Säule für höchste Auflösung und hervorragende Leistung bei niedrigen Strahlenenergien und optimiertes In-Beam-Detektionssystem.
  • Energiefilter für axiale Signalerfassung für erhöhte Oberflächenempfindlichkeit
  • Neue iFIB+™ Xe-Plasma-FIB-Säule mit unübertroffenem FoV für extrem großflächige Querschnitte
  • Neue Generation der REM In-Lens-Detektion kombiniert mit hohen abtragsraten für ultraschnelle 3D-Mikroanalyse​
  • Proprietäre Gaschemie und Rezepte für die physikalische Fehleranalyse von „Packungstechnologien“ und „IC-Planar-Deprocessing“
  • Präziser piezogetriebener Strahlblendenwechsler für schnelles Umschalten zwischen FIB-Voreinstellungen 
  • 30 FIB-Blenden für längere Lebensdauer und minimale Wartung 
  • Halbautomatischer Spot-Optimierungs-Assistent zur einfachen Auswahl der FIB-Milling Konditionen 
  • Spezielle Workflow-Software-Module, Assistenten und Abläufe für maximalen Durchsatz und einfache Bedienung

Vorteile

  • Extrem hoher Durchsatz für anspruchsvolle großvolumige Milling-Aufgaben
    Die neue iFIB+™ Xe Plasma-FIB-Säule kann hohe FIB-Ströme von bis zu 2 µA bei gleichbleibender Strahlqualität erzeugen, wodurch die Gesamtzeiten für die Durchführung von Milling‘s drastisch reduziert werden.
  • Neue iFIB+™ Xe-Plasma-FIB-Säule mit unübertroffenem FoV für extrem großflächigen TEM-Lamellen
    Die neue iFIB+™ Säule hat das größte Sichtfeld (FoV) im Markt der Plasma-FIB-REM. Mit einem maximalen Sichtfeld von mehr als 1 mm bei 30 keV und extrem hohen Abtragsraten von Xe-Ionen bei hohen Strömen lassen sich 1 mm breite Querschnitte in der „Electronic Packaging Technologie“ und anderen großen Strukturen wie MEMS und Displays in wenigen Stunden realisieren. Dies ist eine Lösung zur Vereinfachung komplexer physikalischer Fehleranalyse-Workflows.
  • Vielseitigkeit, die Ihre Möglichkeiten in der FIB-Analyse und Mikrotechnik erweitert
    Die neue iFIB+™ Xe Plasma FIB bietet einen großen Ionenstrahlstrombereich, der ein breites Anwendungsspektrum in einer einzigen Maschine ermöglicht: Große Ströme ermöglichen schnelle Abtragsraten für den großvolumigen Abtrag, mittlere Ströme für die großvolumige FIB-Tomographie, kleine Ströme für das TEM-Lamellenpolieren und „Delayering“, und sehr kleine Ströme für beschädigungsfreies Polieren und Nanopatterning.
  • Die Möglichkeiten des Elektronen- und Ionenstrahls optimal nutzen
    Ein schnelles, effizientes und leistungsfähiges Gasinjektionssystem (GIS) ist für alle FIB-Anwendungen unerlässlich. Die neue OptiGIS™ hat all diese Eigenschaften und die S9000X kann mit bis zu 6 OptiGIS Systemen oder optional mit einem 5-GIS System ausgestattet werden. Hierzu gibt es verschiedene proprietäre Gase und Rezepte für die Fehleranalyse von „Packaging“-Technologien.
  • Höchste Präzision und optimale FIB-Leistung mit Leichtigkeit
    Die neue iFIB+-Säule ist mit einer hochstabilen HV-Versorgung und einem präzisen, piezobetriebenen Blendenwechsler ausgestattet, der ein schnelles Umschalten zwischen den FIB-Voreinstellungen ermöglicht. Zusätzlich ermöglicht ein halbautomatischer Spot-Optimierungs-Assistent die einfache Auswahl des besten Strahlpunkts, der die FIB-Milling für die jeweilige Anwendung optimiert.
  • Minimale Oberflächenbeschädigung und Ga-freie Probenvorbereitung zur Erhaltung der Probeneigenschaften
    Der Ionenimplantationsbereich und das Wechselwirkungsvolumen der Xe-Ionen ist im Vergleich zu Ga-Ionen deutlich kleiner. Dies führt zu weniger amorphen Schäden, was besonders bei der Präparation dünner TEM-Proben wichtig ist. Darüber hinaus verhindert die inerte Natur der Xe-Ionen die Bildung von intermetallischen Verbindungen mit den Atomen der Probe, die zu Veränderungen der physikalischen Eigenschaften der Probe führen und so z.B. bei elektrische Messungen stören können.


 
  • Robustes Detektoren-System
    Multi-Detektorsystem bestehend aus TriSE™ und TriBE™ ermöglicht die Erfassung von SE und BSE im gesamten Winkel für maximale Information der Probe.
  • Verbesserte und erweiterte Abbildungsmöglichkeiten und aussagekräftiger Kontrast
    Das In-Beam-Detektionssystem der nächsten Generation Triglav™ wurde optimiert, wodurch die Effizienz der Signaldetektion um mehr als das Dreifache gesteigert werden konnte. Darüber hinaus wurden die Detektionsmöglichkeiten erweitert und eine energiegefilterte axiale BSE-Signalerfassung ist nun möglich. Dadurch ist es möglich, die Oberflächenempfindlichkeit zu erhöhen, indem man gezielt niederenergetische axiale BSEs sammelt und mit verschiedenen Kontrasten experimentiert.
  • Ultraschnelle 3D-Mikroanalyse
    Das neue und verbesserte In-Lens-Detektionssystem ermöglicht eine schnelle Bildaufnahme, die in Kombination mit den hohen Abtragsraten der Xe Plasma FIB zu einer ultraschnellen Datenerfassung für die 3D-Mikroanalyse führt. EDS- und EBSD-Daten können gleichzeitig während der FIB-REM-Tomographie gewonnen und mit einer speziellen Software nachbearbeitet werden, um 3D-Rekonstruktionen für einzigartige mikrostrukturelle, kompositorische und kristallographische Informationen von ganzen Lotpunkten, TSVs, Metalllegierungen usw. zu erhalten.
  • Beste Voraussetzungen für die Mikroanalyse garantiert
    Die neue Triglav™ Generation verfügt über eine adaptive Strahloptimierung, die zu einer verbesserten Auflösung bei hohen Elektronenstrahlströmen führt. Diese Funktion ist für schnelle Analyseverfahren wie EDS, WDS und EBSD von Vorteil.
  • Verbesserung der Nachweisgrenzen bei der TOF-SIMS-Analyse
    und keine Interferenz im Elementspektrum (im Gegensatz zu Ga-FIBs, bei denen Ga+-Peaks die Detektion anderer Elemente wie Ce, Ge und Ga selbst stören können).
  • Schnelle Mikroanalyse ohne Einbußen bei der Ortsauflösung
    Die Triglav™ REM-Säule verfügt über eine neue Schottky FE-Emitter, die Strahlströme bis zu 400 nA und schnelle Energiewechsel ermöglicht. In-Flight Beam Tracing™ ist eine kontinuierliche Optimierung, die beste Voraussetzungen für die Mikroanalyse garantiert.
  • Großwafer-Analyse
    Dank optimaler 60°-Objektivgeometrie und einer großen Kammer, die sowohl REM- als auch FIB-Analysen von 6" und 8" Wafern an jedem Ort ermöglicht.
  • Komplexe Anwendungen einfacher denn je
    Die neue Softwareplattform TESCAN Essence™ ist eine Mehrbenutzeroberfläche mit einem Layoutmanager, der einen schnellen und einfachen Zugriff auf die wichtigsten Funktionen ermöglicht. Diese einfach zu erlernende Benutzeroberfläche kann an die jeweilige Anwendung und das Niveau und den Anforderungen des Anwenders angepasst werden. Eine breite Palette von SW-Modulen, Assistenten und Voreinstellungen macht alle Ihre FIB-REM-Anwendungen für Anfänger und Experten einfach und reibungslos und steigert so die Produktivität und den Durchsatz in Ihrem Labor. Die neue TESCAN Essence™ bietet auch den vektorbasierten Scan-Generator Advanced DrawBeam™ für die schnelle und präzise FIB-Bearbeitung und Elektronenstrahl-Lithographie.
TESCAN S9000X
TESCAN S9000X

Produktbroschüre (in Englisch)

TESCAN S9000X brochure
pdf – 3,3 MB

Applikationsbeispiele

TESCAN S9000X microscope

Applikation in der Halbleiter- und Materialwissenschaft