XEIA3

Die XEIA kombiniert höchstauflösende Bilderzeugung mit extremer Leistung beim Micromachining in einem einzigen Gerät. Das XEIA-System bietet Ihnen extrem leistungsstarkes und ultraschnelles FIB-Micromachining und -Nanomachining, ultimative, kompromisslose Höchstauflösung bei niedriger Strahlenergie, ultraschnelle und verlässliche Mikroanalyse sowie analytische 3D-Rekonstruktion. Es erweist sich somit als ideales UHR FIB-REM-System, das all diese Fähigkeiten in einem System vereinigt. Mit der XEIA stellt TESCAN Forschern und Entwicklern ein Spitzeninstrument zur Verfügung, das ihnen hilft, neue Wege in Wissenschaft und Technologie beschreiten zu können. Wie alle TESCAN Systeme ist auch das XEIA3 UHR FIB-REM so aufgebaut, dass es an die speziellen Kundenanforderungen angepasst und entsprechend ausgestattet werden kann. Von den Materialwissenschaften bis zu den Biowissenschaften und vom Ingenieurwesen bis zur Halbleitertechnologie - TESCAN liefert Hochleistungssysteme ohne Kompromisse.

Hauptmerkmale

Triglav™ - neu entwickelte UHR-Elekronensäule

  • TriLens™ Objektivsystem: Einzigartige Kombination aus drei Objektivlinsen und Crossover-freiem Strahlengang
  • Hochentwickeltes Detektorsystem mit vielen SE- und BSE-Detektoren
  • Triglav™ - Ultimative Höchstauflösung bei niedriger Strahlenergie: 1 nm @ 1 keV und 0,7 nm @ 15 keV
  • EquiPower™-System zur Wärmeableitung für beste Säulen- bzw. Strahlstabilität
  • Elektronenstrahlströme bis zu 400 nA und schneller Wechsel der Strahlenergie
  • Optimierte Säulengeometrie für die Aufnahme großer Wafer bis zu 8”
  • Echtzeit In-Flight Beam Tracing™ für Strahloptimierung und hohe Leistung

Extrem leistungsstarke Xenon-Plasma-FIB-Säule

FIB Säule mit ECR-generierter Xe-Plasma-Ionenquelle für äußerst herausfordernde, großvolumige Milling-Aufgaben in unschlagbar kurzer Zeit
  • 50x schneller als Ga-LMIS-FIB.
  • Ionenstrahlstrom von 1 pA bis 2 µA Auflösung < 25 nm (Standard)
  • Neuentwickelte, hochauflösende Xenon-Plasma-FIB-Säule (optional) mit einer Auflösung < 15 nm für erweiterte Patterning-Möglichkeiten
  • Schwere Xenon-Ionen mit einem erweiterten Bereich von Ionenströmen für ultraschnellen Abtrag, selbst ohne die Unterstützung von Prozessgasen
  • Signifikante Reduzierung der Oberflächenamorphisierung und Ionenimplantation im Vergleich zu Ga-LMIS-FIB
  • Xe-Inertgas-Atome (im Gegensatz zu Ga-Ionen) erhöhen nicht die Leitfähigkeit des Materials in der Nähe der bearbeiteten Oberfläche
  • Keine intermetallischen Bindungen während des FIB-Millings
XEIA3
TESCAN XEIA3 GM

Produktbroschüre (in Englisch)

Hier XEIA3 Produktbroschüre (in Englisch) downloaden.
TESCAN XEIA UHR FIB-REM, höchstauflösende (Ultra-High Resolution) Rasterelektronenmikroskope mit Schottky Feldemissionskathodensystem mit Triglav™ Elektronensäule und extrem leistungsstarker Focused Ion Beam Xenon Plasma Ionenquelle. Erhältlich mit zwei verschieden Kammern, als HiVac oder UniVac Modell, mit vielen Detektorkombinationen und optionalem Zubehör.
pdf – 3,6 MB

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