MEB-FIB

La microscopie électronique à balayage à faisceau ionique focalisé (MEB-FIB) combine deux faisceaux (électrons et ions) dans un seul instrument. La colonne MEB fournit une image haute résolution, tandis que la colonne FIB permet la modification des échantillons. Un système MEB-FIB à double faisceau ouvre un monde de nouvelles fonctionnalités permettant des applications qui, autrement, ne seraient pas réalisables avec un de ces systèmes seul.
La configuration dans les systèmes MEB-FIB est telle que les points focaux des faisceaux d'électrons et d'ions coïncident, d'où l'optimisation de nombreuses applications. Une telle fonctionnalité permet d'imager en MEB simultanément à des tâches de gravure par la FIB - un pas important en termes de performances et de cadence de production dans toutes ces opérations FIB qui exigent des niveaux de précision ultimes. La gamme des systèmes TESCAN MEB-FIB comprend le LYRA3 et le GAIA3, tous deux des FIB avec une source Ga pour les tâches de gravure de haute précision, ainsi que le FERA3 et le XEIA3, des FIB avec une source plasma en Xe  pour des applications de gravure de grande taille. De plus, le récent développement de la FIB plasma Xe permet d'atteindre une résolution inférieure à 15 nm ce qui étend les capacités de motifs. 

Les MEB-FIB TESCAN disposent de colonnes ioniques ultramodernes avec des performances exceptionnelles. D'une part, la colonne Cobra est une colonne FIB à source Ga et l'instrument le plus pointu pour le nano-usinage capable d'obtenir une résolution de 2,5 nm. D'autre part, la colonne i-FIB est une puissante source d'ions plasma Xe générée par ECR et capable de générer des courants ioniques élevés jusqu'à 2 μA pour des applications de gravure à grande échelle : la FIB plasma Xe peut effectuer des tâches de gravure jusqu'à 50 fois plus vite que n'importe quelle FIB Ga conventionnelle. Le choix de la FIB dépendra du type d'application auquel le système est destiné. Les colonnes Cobra et i-FIB ont différentes gammes de courants ioniques opérationnels et, par conséquent, différentes applications. Même en travaillant dans la même gamme de courants ioniques, les performances de ces colonnes sont différentes. Les ions Xe sont beaucoup plus lourds que les ions Ga, donc ils facilitent la pulvérisation de beaucoup plus de matière dans de courtes périodes de temps pour un courant donné ce qui est une caractéristique souhaitable pour les travaux de gravure à grande échelle (> 106 μm3). Cependant, pour la pulvération sur des faibles volumes (
< 104 μm3 ) qui requièrent une grande précision, les sources Ga offrent une amélioration par rapport au plasma Xe, car obtiennent une meilleure résolution à de faibles courants.