MAIA3

Colonne électronique à ultra haute résolution nouvellement conçue pour une superbe imagerie
Le MAIA3 est un MEB de ultra haute résolution avec d'excellentes capacités d'imagerie dans toute la gamme d'énergie du faisceau. Un système de détection polyvalent et une résolution spatiale élevée permettent d'observer même les plus fins détails de surface. Ceci est une caractéristique essentielle pour la caractérisation complète des nanomatériaux, pour l'observation d'échantillons sensibles au faisceau communs dans l'industrie des semi-conducteurs et pour l'imagerie  d'échantillons non conducteurs, y compris les spécimens biologiques sans revêtement.

Caractéristiques clés

  • Résolution extraordinaire grâce à la lentille de Ultra High-résolution (une lentille objective à immersion à 60 °). Une nouvelle lentille analytique à haute résolution pour un travail d'analyse sans champ. Une lentille intermédiaire redessinée pour un champ de vision extra large
  • Combinaison unique d'un mode sans crossover et d'une lentille d'UH résolution permet d'obtenir des images exceptionnelles
  • La nouvelle pointe FEG Shottky permet maintenant des courants de faisceau jusqu'à 400 nA et des changements d'énergie du faisceau rapide
  • Observation possible au MEB de wafer de 12'' à l'aide de chambres plus grandes et de de supports dédiés
  • Triple détection des électrons secondaires (SE) à l'aide du TriSE ™ afin de capturer le signal SE de façon optimale dans tous les modes de fonctionnement. Le détecteur SE-In-Beam à l'intérieur de la colonne permet de détecter les électrons à des distances de travail très courtes. Le détecteur SE pour le mode de décélération du faisceau (BDM) offre une résolution ultime à basse tension. Le détecteur SE dans la chambre offre un contraste topographique exceptionnel
  • La Technologie en décélération de faisceau (BDT) pour une excellente résolution à très faible intensité du faisceau jusqu'à 50 eV (optionnel)
  • In-Flight Beam Tracing ™  en temps réel pour la performance et l'optimisation du faisceau d'electron
  • Le mode Vide Partiel permet de varier la pression dans la chambre jusqu'à 500 Pa, et ce pour imager des spécimens non conducteurs
 

Ultra haute résolution de 1 nm à 1 keV

La combinaison unique de l'optique à immersion et du mode sans crossover donne lieu à une imagerie à ultra haute résolution à faible énergie. La lentille objective crée un fort champ magnétique autour de l'échantillon et diminue considérablement les aberrations optiques. L'absence de crossover dans la colonne réduit l'effet Boersch et optimise encore le faisceau d'électrons pour obtenir une résolution supérieure de 1 nm à 1 keV.

Imagerie à faible et ultra-faible énergie de faisceau

La technologie en décélération de faisceau (BDT) se compose du mode de décélération du faisceau (BDM) et des détecteurs In-Beam de haute performance permettant la détection simultanée du signal SE et BSE. Dans le BDM, l'énergie des électrons dans le faisceau diminue l'impact à la surface de l'échantillon au moyen d'une tension de polarisation négative appliquée sur le porte échantillon. Des énergies d'atterrissage ultra-bas jusqu'à 50 eV (ou 0 eV en contrôle manuel) sont réalisables. Le BDM améliore les performances de la colonne d'électrons en réduisant les aberrations optiques, permettant ainsi d'obtenir des faisceaux de petites tailles et une imagerie à haute résolution à faible énergie. L'utilisation des énergies à faible électron sont avantageuses pour réduire les effets de charge dans des échantillons non conducteurs ainsi que pour l'imagerie de spécimens biologiques sensibles au faisceau et sans revêtement. Dans ce mode, la résolution ultime est atteinte dans le cas d'une sensibilité maximale de la surface et un contraste topographique et matériel exceptionnel.
MAIA3
MAIA3

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MAIA3 Brochure
MAIA” - Newly designed ultra-high resolution electron column for superb imaging.

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