Wire Bonding

Der Gebrauch von ultrafeinen Drahtanschlüssen aus Kupfer oder Gold bleibt die meistverbreitete Methode zur Herstellung von Zwischenverbindungen bei hoch komplexen Multi-Chip Modulen in der Mikroelektronik und Halbleiterindustrie.
Einer der Gründe der hohen Zuverlässigkeit und Ausbeute der automatischen Drahtbondverfahren, ist eine maximale Homogenität der Drahteigenschaften; eine hohe homogene chemische Zusammensetzung und stabile mechanische Eigenschaften in diesen Drähten. Diese Eigenschaften können während des Lötprozesses der Drähte zu den Drahtkissen durch die aufgebrachte Wärme beeinflusst werden. Der Drahtbereich, der durch die Wärme beeinflusst wird, wird mechanisch schwächer, was die Ausbildung der Drahtschleife und ihre Stabilität verändern kann.
  • REM-Techniken erlauben die Ausübung verschiedener Tests bei Drahtanschlüssen. TESCANs patentierte, Wide Field Optics™ erlaubt die Abbildung extragroßer Objekte. Ganze Chip-Einheiten mit freigelegten Drahtanschlüssen bei niedriger Vergrößerung sind darstellbar.
  • Die hohe Leistungsfähigkeit der MIRA3 Elektronensäule ermöglicht hohe Elektronenströme, welche für verschiedene Analysetechniken wie EDX und WDX notwendig sind. Diese sind essentiell, um metallurgische Untersuchungen der Bonddrähte durchzuführen. Die gebildeten intermetallischen Schichten, die an den Bonddrahtgrenzflächen vorhanden sind, oder den Einfluss der Korngrößenverteilung auf den Bondprozess können damit untersuchen werden.
  • TESCAN FIB-REM-Systeme erweitern die analytischen nano- und mikroskaligen Möglichkeiten. Damit lassen sich Bonddrähte zu untersuchen, um deren Verbidung und Metallisierung zu untersuchen.
  • TESCAN LYRA3 und GAIA3 verfügen über eine Ga-Ionenquellen-FIB-Säule für das ortsspezifische Schneiden mit hervorragender bildgebender Auflösung. FERA3 und XEIA3 mit Xe-Plasmaionen-FIB-Säule ist die beste Wahl um große Querschnitte in kurzer Zeit ermöglichen.
  • REM-Untersuchungen und FIB-Querschnitte können ebenfalls verwendet werden, um die Auswirkung von hohen Temperaturen auf Bonddrähte, wie metallurgische Veränderungen, Hohlräume und Abnahme der Haftfestigkeit, zu untersuchen.
  • Zusätzlich können Zug- und Druckmodule und ein Nanoindenter zur Durchführung von in-situ-Belastungstests in Draht- und Drahtbondqualität verwendet werden.
Wire Bonding
Blick auf ein Wire Bonding eines Halbleiterchips nach chemischer Entkapselung