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Halbleiter

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Rasterelektronenmikroskopie (REM) in Kombination mit Focused-Ion-Beam-Technologie (FIB) stellt dem Anwender ein hohes analytisches Potential und höchste Präzision zur Verfügung, ideale Voraussetzungen, um die schnellen Entwicklungen in der Halbleitertechnologie mitzugestalten.

Die Entwicklungsgeschwindigkeit in der Halbleitertechnologie ist extrem hoch. Die Ziele sind kontinuierlich steigende Integration, höhere Bauteildichte und die Miniaturisierung von Schaltungen. Daraus resultieren Innovationen wie 3D-ICs, die zunehmend erweiterte Funktionen in immer kleineren, schnelleren und verbrauchsärmeren Bauteilen ermöglichen. Diese hochkomplexen, integrierten Schaltungen benötigen bei Entwicklung, Inspektion, Fehleranalyse und Herstellung immer hochentwickeltere Werkzeuge für die Analyse und Modifikation an und in Bauteilen.