La configuración en los sistemas FIB-SEM es tal que los puntos focales del haz de electrones y haz de iones coinciden, lo que resulta en la optimización de muchas aplicaciones. Dicha característica permite la obtención de imágenes de SEM simultáneas durante las tareas de fresado FIB: un salto significativo en términos de rendimiento y eficiencia en todas aquellas operaciones FIB que exigen niveles máximos de precisión.
TESCAN ofrece dos especies de iones diferentes como fuente de FIB: iones de Galio y plasma de iones de Xenón. La fuente de iones de Ga FIB es para todas aquellas aplicaciones que necesitan la máxima precisión en fabricación con nanopatrones. Por otro lado, los FIB de plasma Xe permiten altas corrientes de haz de iones que permiten eliminar grandes volúmenes de material en lapsos de tiempo que pueden ser hasta 50 veces más cortos en comparación con los Ga-FIB. En términos de precisión, las nuestras FIB de plasma Xe de alta resolución pueden alcanzar una resolución < 15 nm para todas esas tareas delicadas que necesitan potencia y precisión combinadas.
Nuestra amplia gama de sistemas FIB-SEM está destinada a satisfacer desde aplicaciones básicas de rutina industrial hasta las aplicaciones tecnológicas más avanzadas y desafiantes que exigen los más altos estándares en imágenes y micro/nanomecanizado para flujos de trabajo complejos.
