A configuração nos sistemas MEV-FIBs é tal que os pontos focais do feixe de elétrons e íons coincidem, o que resulta na otimização de muitas aplicações. Esse recurso permite a criação simultânea de imagens de MEV durante tarefas de remoção por FIB – um salto significativo em termos de desempenho e rendimento em todas as operações FIB que exigem níveis elevados de precisão.
A TESCAN oferece dois tipos de íons como fonte de FIBs: íons de gálio e plasma de íons de xenônio. O FIB de fonte de íons de Ga é ideal para todas as aplicações que precisam de precisão máxima na nanofabricação. Por outro lado, os FIBs de plasma Xe permitem altas correntes de feixe de íons que permitem remover grandes volumes de material em tmpo que podem ser até 50 vezes mais rápidos em comparação com os FIBs com feixe de Ga. Em termos de precisão, nossos FIBs de plasma Xe de alta resolução podem atingir uma resolução <15 nm para todas as tarefas delicadas que precisam de potência e precisão combinadas.
Nossa ampla gama de sistemas MEV-FIB visa atender desde aplicações básicas de rotina industrial até as aplicações tecnológicas mais avançadas e desafiadoras que exigem os mais altos padrões em imagem e micro / nanofabricação para seus fluxos de trabalho complexos.
