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TESCAN AMBER X

Optimized plasma FIB-SEM platform for high-quality deprocessing of the most modern semiconductor devices with proprietary chemistries

Eine einzigartige Kombination aus Plasma-FIB (Focused Ion Beam) und feldfreiem ultrahochauflösendem (UHR) Feldemitter-Rasterelektronenmikroskop (FE-REM) für die unterschiedlichsten Anwendungen in der Materialcharakterisierung im Multiskalenbereich.

Die TESCAN AMBER X ist ein einzigartiges FIB-REM-System, welches eine Xenon-Plasma-FIB mit feldfreiem UHR FE-REM kombiniert. Es wurde speziell für Anwendungen entwickelt, welche eine großvolumige Multiskalen-, multimodale Probencharakterisierung und Gallium-freie Probenvorbereitung und -modifikation erfordern. Die kombinierten Eigenschaften des schnellen und dennoch präzisen Plasma-Schneidens und der feldfreien UHR-REM-Bildgebung machen die TESCAN AMBER X zur bevorzugten Lösung für die Charakterisierung von Materialien in großen (bis zu 1 mm breiten) FIB-Querschnitten. Weitere Anwendungen sind beispielsweise multiskalige, multimodale FIB-REM-Tomographien zur 3D-Rekonstruktion und Visualisierung der Probenmorphologie, zur Elementanalyse (3D-EDX) und/oder Kristallorientierung (3D-EBSD) sowie die Herstellung von Mikro- und Nanostrukturen unter Verwendung des inerten und implantationsfreien Ionenstrahls für nachfolgende Tests oder Charakterisierungen mit anderen Analysemethoden.

  • Low-kV high-resolution imaging with enhanced topographic contrast of target layers
  • Imaging of edges of delayered or cleaved chips using field-free high-resolution technology
  • Dedicated and proprietary gas chemistries for sub-14 nm nodes deprocessing

  • End-pointing software module for semiautomated deprocessing enables stopping the process at a desired layer
  • Electrical characterization of the most sensitive semiconductor devices using in-situ nanoprobing
  • Easy-to-use, fully customizable, applicationoriented and modular user interface

 

 

  • Product brochure

    TESCAN AMBER X

    pdf 4 MB Download
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